赛晶半导体自主研发的IGBT模块有新突破
储能系统 近日，赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司(简称“赛晶半导体”)自主研发的IGBT模块——ED Type取得突破，据了解，这是赛晶半导体自主技术IGBT模块的首个批量订单，标志公司IGBT模块取得客户认可并开始批量销售和应用。 据了解，赛晶半导体是赛晶科技集团有限公司旗下子公司，是一家专注于IGBT、FRD，以及碳化硅等芯片和模块等高端功率半导体产品研发和制造的高科技企业。 赛晶半导体的研发中心位于瑞士兰兹伯格。研发团队，由来自欧洲领军企业的技术专家组成，在芯片设计、制造工艺、生产线建设和管理等IGBT生产的全部流程，均具备国际最先进的技术水平和成功经验。 面对国内功率半导体领域的“缺芯”困局，赛晶科技于2019年启动了IGBT自主技术研发，打造国际一流水平的国产IGBT芯片及模块，主要面向电动汽车、新能源发电、工业电控等领域。 赛晶科技凭借国际一流的技术团队和研发实力，首款IGBT产品 - 1200V/250A芯片和1200V/750A模块已经实现了量产。此外，赛晶自主设计建成的全自动智能IGBT模块生产线，具有国际范围内行业最领先水平。 据披露，赛晶半导体的制造中心位于中国浙江省嘉善县。制造中心的一期项目占地2.2万平米，二期项目占地5万平米，规划建设多条具有国际一流水平的全自动智能IGBT生产线，以及国内技术中心。 赛晶半导体年产IGBT功率器件200万件项目总投资52.5亿元，一期投资17.5亿元，计划建设2条IGBT芯片生产线，5条IGBT模块封装测试生产线，年产200万件IGBT功率器件，达产后预计产值超20亿元。在芯片设计、制造工艺、生产线建设和管理等IGBT生产的全部流程，均具备国际最先进的技术水平和成功经验。
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