从时间轴上看,早在2005年,我们的H5逆变器就采用IGBT模块,实现了5 kW单相和0.5W/英寸3功率密度。这种功率晶体管也具备主动冷却功能。接下来,我们在2015年推出了5L逆变器,它基于150V OptiMOSTM Si FET 5 kW单相,功率密度为3.3 W/英寸3。不同的是,这些功率晶体管实现了被动冷却。自2020年起,我们提供了6 kW单相Heric逆变器,功率密度为4.7 W/英寸3,具备被动冷却功能,如CoolMOSTM产品系列。功率晶体管的未来无疑是光明的,因此,我们预计到2025年,采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的宽禁带(WBG)技术将如日中天。英飞凌提供的WBG功率晶体管系列包括CoolSiCTM和CoolGaNTM等。